ISSI IS61WV6416DBLL是一款位寬為64Kx16的異步SRAM芯片存儲(chǔ)器，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。,這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生了高性能和低功耗的設(shè)備。當(dāng)CE為高電平（取消選擇）時(shí)，器件進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下，功耗可以隨著CMOS輸入電平的降低而降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE，可以輕松擴(kuò)展內(nèi)存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB)訪問。IS61WV6416DBLL采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44針TSOPTypeII、44針400-milSOJ和48針迷你BGA(6mmx8mm)封裝。
 
特征
高速：IS61WV6416DBLL
•高速訪問時(shí)間：8、10、12、20ns
•低有功功率：135mW（典型值）
•低待機(jī)功耗：12µW（典型值）
CMOS待機(jī)
•單電源
—Vdd2.4V至3.6V
•完全靜態(tài)操作：無需時(shí)鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•高字節(jié)和低字節(jié)的數(shù)據(jù)控制
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
 
ISSI主要是為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，以及工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)設(shè)計(jì)和開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM 和中低密度 DRAM。還設(shè)計(jì)和銷售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。ISSI代理宇芯電子可提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。

關(guān)鍵詞： ISSI代理,SRAM,IS61WV6416EEBLL