功能概述
FM25CL64B是一款采用先進鐵電工藝的64Kbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，執行類似于RAM的讀取和寫入。它提供151年的可靠數據保留，同時消除由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性、開銷和系統級可靠性問題。
 
與串行閃存和EEPROM不同，FM25CL64B以總線速度執行寫操作。不會產生寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，數據立即寫入存儲器陣列。無需數據輪詢即可開始下一個總線周期。與其他非易失性存儲器相比，該產品提供了可觀的寫入耐久性。FM25CL64B能夠支持10¹⁴個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25CL64B成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用的理想選擇。示例范圍從數據收集（其中寫入周期數可能至關重要）到要求苛刻的工業控制（其中串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能導致數據丟失）。
 
FM25CL64B為串行EEPROM或閃存作為硬件替代品的用戶提供了巨大的好處。FM25CL64B采用高速SPI總線，增強了FRAM技術的高速寫入能力。器件規格在–40℃至+85℃的工業溫度范圍內得到保證。
 
◆64-Kbit鐵電隨機存取存儲器(FRAM)邏輯上組織為8K×8
•高續航100萬億（10¹⁴）讀/寫
•151年數據保留
•NoDelay™寫入
•先進的高可靠性鐵電工藝
◆極快的串行外設接口(SPI)
•高達20MHz的頻率
•串行閃存和EEPROM的直接硬件更換
•支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
◆復雜的寫保護方案
•使用寫保護(WP)引腳的硬件保護
•使用寫禁用指令的軟件保護
•1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護
◆低功耗
•1MHz時為200μA有源電流
•3μA（典型值）待機電流
•低電壓操作：VDD=2.7V至3.65V
•工業溫度：–40℃至+85℃
◆封裝
•8引腳小外形集成電路(SOIC)封裝
•8引腳薄型雙扁平無引腳(TDFN)封裝
•符合有害物質限制(RoHS)

關鍵詞：串行FRAM  FM25V02A-DG