正確的同步靜態隨機存取存儲器（SRAM）的選擇對于帶寬要求更高，系統性能更好的網絡應用至關重要。系統設計人員需要了解不同同步SRAM技術的特性和優勢，以便為其應用選擇正確的存儲器。
 
決定正確的同步SRAM選擇的一些關鍵因素是密度，等待時間，速度，讀/寫比和功率。通過了解這些因素如何影響性能，可靠性和成本，設計人員可以為其應用選擇最佳的同步SRAM。宇芯電子專注代理銷售SRAM，異步SRAM，同步SRAM,PSRAM等存儲芯片，提供產品技術支持及解決方案。
 
同步高速SRAM有多種形式，具有不同的性能特征和優勢。標準同步SRAM通常用于工業電子，儀器儀表和軍事應用。這些設備通常用作數據緩沖區（臨時存儲），并且可以通過它們的高速，單數據速率（SDR）接口隨機訪問。標準同步突發SRAM非常適合占主導地位的讀取或寫入操作。客戶可以在具有用戶可選的線性和交錯突發模式以及單周期取消選擇（SCD）和雙周期取消選擇（DCD）選項的直通（FT）或流水線（PL）體系結構之間進行選擇。
 
存儲器選擇：關鍵因素
 
選擇同步高速SRAM存儲器的主要考慮因素之一是數據帶寬，數據帶寬隨同步SRAM的不同類型而變化。為了進行計算，已考慮了最大時鐘頻率和x36的總線寬度。
 
同步SRAM存儲器選擇的另一個因素是功率效率。由于電源電壓較低，與標準同步高速SRAM相比，QDR / DDR器件的功耗更低。表1概述了決定內存選擇的其他因素：

   
提供了各種各樣的同步高速SRAM。通過了解可用的不同類型的內存，系統設計人員可以為其應用選擇正確的同步內存選項。

VTI 同步SRAM

型號	容量	位寬	溫度	類型	電壓(V)	頻率(MHz)	封裝	包裝	狀態
VTI304NP36TM	4M bit	128K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI304NP18TM	4M bit	256K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP36TM	9M bit	256K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP18TM	9M bit	512K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP36TM	18M bit	512K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP18TM	18M bit	1M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP36TM	36M bit	1M x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP18TM	36M bit	2M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP

 

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