靜態存儲器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數據的存儲器。在SRAM 存儲陣列的設計中，經常會出現串擾問題發生。那么要如何減小如何減小SRAM讀寫操作時的串擾，以及提高SRAM的可靠性呢，下面由宇芯電子來簡單介紹。
 
設計結果與仿真分析
圖1為脈沖產生電路通過analog Environment的仿真波形圖。當地址產生變化，由于信號經過的延遲路徑長短不同而產生了脈沖，當V1脈沖生成時，作為靈敏放大器輸入端電位平衡的控制信號，縮短了預充時間，大大提高了讀取速度。V2 作為位線預充電路的控制信號，避免了數據讀寫時發生錯誤。V3和V4作為字線放電電路的控制信號，只有當V3和V4同時為低電平時，字線放電。通過后仿真，我們看到在讀操作時，防串擾結構布局的存儲器平均輸出時間比一般結構的存儲器輸出時間短，可見在速度上，防串擾結構布局的存儲器具有一定的優勢。在性能方面，該結構減小了SRAM讀寫操作時存儲陣列中單元之間的串擾，提高了可靠性。
     
在sram芯片存儲陣列的設計中，經常會出現串擾問題發生，只需要利用行地址的變化來生成充電脈沖的電路。仿真結果表明，該電路功能正確，性能優良，減小了讀寫操作時存儲陣列中單元之間的串擾，與其它脈沖電路相比，該電路結構簡單、緊湊，對于嵌入式SRAM 的發展具有極其重要的現實意義。
 

關鍵詞：SRAM  SRAM讀寫操作