SRAM的基本單元有3種狀態：standby (電路處于空閑), reading (讀)與writing (修改內容).SRAM的讀或寫模式必須分別具有"readability"（可讀）與"write stability"（寫穩定）.

 

Standby

 

如果字線（Word Line）沒有被選為高電平, 那么作為控制用的M5與M6兩個晶體管處于斷路，把基本單元與位線隔離。由M1 – M4組成的兩個反相器繼續保持其狀態，只要保持與高、低電平的連接。

 

Reading

 

假定存儲的內容為1, 即在Q處的電平為高. 讀周期之初，兩根位線預充值為邏輯1, 隨后字線WL充高電平，使得兩個訪問控制晶體管M5與M6通路。第二步是保存在Q的值傳遞給位線BL在它預充的電位，而瀉掉（BL非）預充的值，這是通過M1與M5的通路直接連到低電平使其值為邏輯0 (即Q的高電平使得晶體管M1通路). 在位線BL一側，晶體管M4與M6通路，把位線連接到VDD所代表的邏輯1 (M4作為P溝道場效應管，由于柵極加了（Q非）的低電平而M4通路). 如果存儲的內容為0, 相反的電路狀態將會使（BL非）為1而BL為0. 只需要（BL非）與BL有一個很小的電位差，讀取的放大電路將會辨識出哪根位線是1哪根是0. 敏感度越高，讀取速度越快。

 

Writing

 

寫周期之初，把要寫入的狀態加載到位線。如果要寫入0，則設置（BL非）為1且BL為0。隨后字線WL加載為高電平，位線的狀態被載入SRAM的基本單元。這是通過位線輸入驅動（的晶體管）被設計為比基本單元（的晶體管）更為強壯，使得位線狀態可以覆蓋基本單元交叉耦合的反相器的以前的狀態！

關鍵詞：SRAM