阻變隨機(jī)存儲器在眾多創(chuàng)新型的、低能耗、更加微縮性、高容量、高性能以及高可靠性的存儲解決方案的開發(fā)競爭中被普遍認(rèn)為是最有前景的技術(shù)。典型的ReRAM存儲單元，在兩個金屬電極之間，像三明治結(jié)構(gòu)那樣，部署使用了轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料，從而使轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料在加載特定的電壓條件下，表征為不同的電阻特性。依靠于所選取的不同轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料和存儲單元的組織架構(gòu)，所能得到的性能差異是明顯的。