存儲(chǔ)器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場。基本上每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上，預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右，而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加5倍以上，預(yù)計(jì)到2022年將達(dá)到150GB以上。對(duì)于服務(wù)器來說，預(yù)計(jì)到2022年DRAM存儲(chǔ)器容量將達(dá)到0.5TB以上，企業(yè)級(jí)市場SSD的NAND存儲(chǔ)器容量將高達(dá)5TB以上。這些市場的增長驅(qū)動(dòng)力源于數(shù)據(jù)中心、深度學(xué)習(xí)、網(wǎng)絡(luò)、AR/VR和自動(dòng)駕駛。

　　

                                      
                                                                 智能手機(jī)和服務(wù)器的DRAM和NAND容量需求

通常使用低密度(low-MB)存儲(chǔ)器的汽車市場將會(huì)出現(xiàn)以自動(dòng)駕駛和車載信息娛樂為主導(dǎo)的DRAM內(nèi)存的采用。此外，NOR閃存市場正在復(fù)蘇，預(yù)計(jì)將以驚人的16%復(fù)合年增長率成長，預(yù)計(jì)到2022年將達(dá)到44億美元，主要原因是在AMOLED顯示器、觸摸顯示驅(qū)動(dòng)器IC和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等新領(lǐng)域的應(yīng)用需求增大。

　　
在供應(yīng)端方面，因?yàn)楣?yīng)商的整合和技術(shù)挑戰(zhàn)造成先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的推行較難，并且從2D轉(zhuǎn)移到3D NAND的過程中需要大量投資，所以導(dǎo)致DRAM和NAND存儲(chǔ)器供應(yīng)的短缺。DRAM廠商希望維持較高的產(chǎn)品售價(jià)和盈利能力，以合理化他們?cè)谙冗M(jìn)節(jié)點(diǎn)遷移方面的巨額資本支出，因此傾向不會(huì)增加產(chǎn)能。

關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)芯片  

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