人們一直承諾會有改進，但趨勢是SRAM的擴展速度比邏輯慢。這意味著要么架構發生變化，要么SRAM消耗給定芯片的比例越來越大。我們可能會看到兩者。可以更改層次結構、更改位置、更改用于防止瓶頸的內存類型。這是一種解決方案。但將會有大量的技術研發，比如自下而上的壓縮SRAM的解決方案。
 
    通過改變核心技術你能做的只有這么多。在標準SoC中，它是經典的6T SRAM，這種情況已經存在30到40年了。人們已經嘗試過各種類似3Tcell的東西，但存在可靠性、可制造性和可設計性問題，例如如何使用它進行測試。某些市場，例如汽車市場，當獲得更容易出錯或對阿爾法粒子敏感的cell時，就會感到恐慌。也許你無法在汽車中安裝巨型推理機，因為汽車存在可靠性和功能安全問題。所有這些事情都必須考慮在內。各種內存層成為架構師需要使用的工具包。


本文關鍵詞：SRAM

相關文章：PSRAM概述