低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品，SRAM作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。
 
    EM610FV8T-70LF采用JSC先進的全CMOS工藝技術制造。這些系列支持工業溫度范圍和芯片規模封裝，以實現系統設計的用戶靈活性。該系列還支持低數據保留電壓，以便在低數據保留電流下進行電池備份操作。詳情聯系JSC代理RAMSUM。
 
    EM610FV8T-70LF特征
    •工藝技術：0.18m全CMOS
    •組織：128K x 8位
    •電源電壓：2.7V～3.6V
    •低數據保持電壓：1.5V（最小值）
    •三態輸出和TTL兼容
    •封裝采用32-TSOP1

    JSC是專門從事存儲半導體總體解決方案的存儲器公司。開發了自己的移動SDRAM系列，SRAM系列和各種其他NAND MCP，一直領先于市場趨勢，不斷為各種物聯網設備提供優化的內存產品。瞄準物聯網領域，保持在物聯網市場的競爭力，并成為存儲器半導體領域的總體解決方案提供商。目前面向以下市場：物聯網、網絡、移動、消費者等，同時能夠熟練地適應不斷變化的市場。


本文關鍵詞：SRAM,EM610FV8T-70LF

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