ISSI型號IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲器，位寬256*12，采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的器件。
 
介紹一款可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM的國產SRAM芯片EMI504NL16VM-55IT。
 
國產SRAM芯片廠家偉凌創芯EMI504NL16VM-55IT由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。支持工業溫度范圍和芯片級封裝，以使用戶靈活地進行系統設計。并支持低數據保持電壓，以低數據保持電流實現電池備份操作。
 
EMI504NL16VM-55IT的制程技術采用90nm Full CMOS，位寬為256Kx16位，其電源電壓范圍2.7V~3.6V，低數據保持電壓：1.5V（最小值），具備三態輸出和TTL兼容，封裝采用標準的44TSOP2，具備工業操作溫度。EMI代理英尚微電子支持提供樣品測試及產品技術支持指導。
 
EMI是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM，PSRAM等存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。公司擁有國際知名設計專家及工作經驗豐富工程師研發團隊，與國內知名前后道生產合作伙伴緊密合作。為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。