IS66WVC2M16EALL是一種集成存儲設備，包含32Mbit偽靜態pSRAM存儲器，使用自刷新DRAM陣列組織為2M字乘16位。該器件包括多種省電模式：減少陣列刷新模式，其中數據保留在陣列的一部分和溫度控制刷新。這兩種模式都減少了待機電流消耗。可以在標準異步模式和高性能突發模式下運行。管芯具有獨立的電源軌、VDDQ和VSSQ，用于I/O運行，來自器件內核的獨立電源。ISSI代理支持提供產品相關技術支持.
 
特征
•單機支持異步、page、burst操作
•MixedMode支持異步寫和同步讀操作
•雙電壓軌可選性能
-全部：VDD1.7V~1.95V，VDDQ1.7V~1.95V
-CLL:VDD1.7V~1.95V,VDDQ2.7V~3.6V
•異步模式讀訪問：70ns
-頁間讀取訪問：70ns
-頁內讀取訪問：25ns
•讀寫操作的突發模式4,8,16,32或連續
•低功耗
-異步操作<30mA
-頁內讀取<20mA
-突發操作<45mA(@133Mhz)
-待機<150uA（最大）
-深度掉電(DPD)<3uA(Typ)
•低功耗特性
-減少數組刷新
-溫控刷新
-深度掉電（DPD）模式
•工作頻率高達133Mhz
•工作溫度范圍工業-40°C~85°C
•封裝：54-ballVFBGA
 
IS66WVC2M16EALL是為低功耗便攜式應用開發的高速CMOS偽靜態pSRAM存儲器。32Mb DRAM核心設備組織為2Megx16位。是行業標準閃存控制接口的變體，與其他低功耗SRAM或偽SRAM產品相比，可顯著增加讀/寫帶寬。
 
為了在突發Flash總線上無縫運行，IS66WVC2M16EALL集成了透明的自刷新機制。隱藏刷新不需要來自系統內存控制器的額外支持，并且對設備讀/寫性能沒有顯著影響。
 
兩個用戶可訪問的控制寄存器定義設備操作。總線配置寄存器(BCR)定義IS66WVC2M16EALL設備如何與系統內存總線交互，并且與突發模式閃存設備上的對應物幾乎相同。
 
刷新配置寄存器(RCR)用于控制如何在DRAM陣列上執行刷新。這些寄存器在上電期間自動加載默認設置，并且可以在正常操作期間隨時更新。特別關注自刷新期間的待機電流消耗。

關鍵詞：IS66WVC2M16EALL  pSRAM