存儲(chǔ)芯片又稱(chēng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，作為電子數(shù)字設(shè)備的主要存儲(chǔ)部件，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最廣的核心零部件。存儲(chǔ)器一方面可存儲(chǔ)程序代碼以處理各類(lèi)數(shù)據(jù)，另一方面可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)處理過(guò)程中產(chǎn)生的中間數(shù)據(jù)及最終結(jié)果，被廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤(pán)、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)等領(lǐng)域，是應(yīng)用面最廣的基礎(chǔ)性通用集成電路產(chǎn)品。

當(dāng)前全球存儲(chǔ)器技術(shù)正處于多種技術(shù)路線(xiàn)并行、多層迭代過(guò)渡的關(guān)鍵時(shí)期，呈現(xiàn)出兩大特點(diǎn)：
 
（1）新型存儲(chǔ)器尚未規(guī)模化或者標(biāo)準(zhǔn)化，尚難撼動(dòng)當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局，全球各大存儲(chǔ)器廠(chǎng)商均投入人力和資源持續(xù)開(kāi)展前沿技術(shù)如3D XPoint、MRAM（磁阻存儲(chǔ)器）、RRAM（阻變存儲(chǔ)器）、PRAM（相變存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）等新一代存儲(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)，但是目前新型存儲(chǔ)器過(guò)高的成本或較大的工藝難度，目前都未實(shí)現(xiàn)規(guī)模化和標(biāo)準(zhǔn)化。
 
（2）DRAM和Nand Flash仍為市場(chǎng)主流，NOR Flash市場(chǎng)逐步恢復(fù)。
 
DRAM和Nand Flash應(yīng)用極其廣泛，是當(dāng)前存儲(chǔ)市場(chǎng)的主流，市場(chǎng)規(guī)模占比超過(guò)95%。但也同時(shí)面臨制程持續(xù)微縮的挑戰(zhàn)，未來(lái)持續(xù)提升性能和降低成本變得更加困難。NOR Flash是除DRAM和Nand Flash以外最大規(guī)模的存儲(chǔ)芯片，憑借著“芯片內(nèi)執(zhí)行”的特點(diǎn)在物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊設(shè)備、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)規(guī)模逐步恢復(fù)。
 
主要存儲(chǔ)芯片的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

（1）DRAM
 
DRAM按照產(chǎn)品分類(lèi)分為DDR/LPDDR/GDDR等，被廣泛的應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、服務(wù)器、個(gè)人計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑主要以提升制程來(lái)提高存儲(chǔ)密度，同時(shí)不斷優(yōu)化設(shè)計(jì)，提升帶寬、提升速率、降低功耗。
 
（2）Nand Flash
 
高可靠性的中小容量產(chǎn)品需求持續(xù)增加中小容量的Nand Flash的高可靠性在工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品領(lǐng)域，具備大容量產(chǎn)品無(wú)可比擬的可靠性?xún)?yōu)勢(shì)，隨著5G通訊設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子的發(fā)展，中小容量產(chǎn)品需求持續(xù)增加。5G通訊設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)都需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)芯片作為各類(lèi)數(shù)據(jù)站點(diǎn)。以5G基站為例，其部署環(huán)境復(fù)雜惡劣，且需要全天候工作，中小容量SLC Nand在性能穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
 
高集成度的3D Nand在大容量存儲(chǔ)器領(lǐng)域成為主流存儲(chǔ)芯片的集成度主要體現(xiàn)在單位面積所容納晶體管的個(gè)數(shù)，因此存儲(chǔ)芯片的集成度越高，其單位面積的存儲(chǔ)容量越大。相對(duì)于中小容量的2D NAND，3D NAND通過(guò)在二維平面基礎(chǔ)上，在垂直方向也進(jìn)行存儲(chǔ)單元的堆疊，從而極大地提升了閃存的存儲(chǔ)容量。目前國(guó)際大廠(chǎng)均已成功研發(fā)100+層的3D NAND。隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能的發(fā)展，數(shù)據(jù)量呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，持續(xù)帶動(dòng)大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求。
 
（3）NOR Flash
 
NOR Flash進(jìn)入50nm制程后，主要存儲(chǔ)大廠(chǎng)均通過(guò)優(yōu)化接口技術(shù)等方式增加數(shù)據(jù)吞吐量提升產(chǎn)品性能；同時(shí)不斷拓展應(yīng)用場(chǎng)景，憑借擦寫(xiě)次數(shù)多、讀取速度快、芯片內(nèi)可執(zhí)行等特點(diǎn)，在以TWS耳機(jī)為代表的可穿戴設(shè)備、車(chē)載電子、AMOLED、TDDI及屏下指紋技術(shù)等領(lǐng)域大放異彩。
 

關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)芯片  Nand Flash  FRAM