展望2021年，集邦咨詢認為第一季度供給端由于三星（Samsung）、長江存儲（YMTC）積極擴產以及各供應商均轉進更高層數等影響，位元產出將顯著增長。
 
需求端盡管筆電及智能手機品牌商備貨動能延續，但仍因傳統淡季而訂單略有下修。server與data center客戶庫存雖已大致回到健康水位，但尚未恢復采購動能，議價時供應商仍預期市場供過于求將會擴大，使合約價繼續下跌，第一季營收將呈現衰退走勢。
 
廠商未來規劃
 
* 三星電子：加快提升第六代V-NAND生產比重
 
三星電子認為在移動產品和數據中心的強勁需求下，今年全球總體需求將恢復。三星將加快提升1znm DRAM和第六代V-NAND生產比重，繼續擴大與全球主要客戶合作，并積極推出下一代基于EUV工藝的1anm DRAM和第七代V-NAND產品，以繼續提升技術領先地位，并增強成本競爭力。
 
2021年三星電子為最積極擴產的供應商除了在西安二期持續擴產外，也將開始在平澤二廠布建3D NAND生產線。產品方面目前仍以V5（92L）為主要供給，但今年會大幅拉升V6（128層）的比重，將擴大應用在SSD以及UFS等產品。
 
* 鎧俠：112層BiCS5產品出貨比重將提升
 
鎧俠除有緩步擴張K1廠的規劃，也將維持于第一季動工興建四日市Fab 7、北上市K2廠的規劃，預定2022年后挹注產出，目標用以生產BiCS6或更進階層數的產品。產品方面其主要位元增長將透過產品世代的轉進來達成，目前主流仍為96層BiCS4產品，112層BiCS5產品出貨比重將于今年內明顯提升。
 
鎧俠近日還宣布在日本三重縣四日市工廠舉行了奠基儀式，最先進的半導體工廠（Fab7）正式破土動工。該工廠致力于生產其專有的第六代3D閃存BiCS 閃存FlashTM。新工廠的建設將分為兩個階段，其中第一階段的建設計劃于2022年春季完成。
 
* SK海力士：預定下半年推出176層產品
 
SK海力士表示公司計劃隨著高性能計算（HPC）、人工智能（AI）市場的成長，在DRAM方面擴大包括HBM2E在內的高附加價值產品的出貨比重。就NAND閃存方面，SK海力士準備積極推進基于128層Nand Flash的服務器SSD的客戶認證，并繼續產品多元化步伐。與此同時SK海力士計劃年內投產生產性更高的第四代1a納米級DRAM與176層4D Nand Flash。
 
2021年SK海力士位元增長集中于產品層數的提升，128層產品的占比已于2020年底達30%，今年將持續增長，以取代72、96層的占比，并預定下半年推出176層產品。而并購Intel大連廠的進程方面，目前仍規劃年底前完成大連廠及Intel SSD技術的產權移轉。
 
* 美光：第二代176層產品將送樣給品牌端
 
美光雖有128層的產品，但相較于其他競爭對手積極轉進的策略，其對主要客戶的出貨都直接著重在第二代的176層產品，預計仍會在第二季前送樣給品牌端。產品結構方面，其QLC出貨占比再度提升，位元占比已達其NVMe SSD出貨的50%以上。
 
* 英特爾：延續產品出貨偏重QLC的策略
 
英特爾已與SK海力士達成出售協議，意即目前的產品分配、產能規劃等不會再有大幅調整，仍延續其在enterprise SSD的優勢，推動客戶導入其144層產品，預計2021年大幅提升出貨比重，并延續產品出貨偏重QLC的策略。此外今年為提升144層的產出效益將于大連廠擴張產能，長期擴產效益將歸屬于SK海力士。


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