IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）或CS1為低電平時，CS2為高電平且LB和UB均為高電平時，器件將進入待機模式，在該模式下可以通過CMOS輸入降低功耗水平。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）訪問。
 
IS62WV51216EALL和IS62WV51216EBLL封裝在JEDEC標準的48引腳微型BGA（6mmx8mm），44引腳TSOP（II型）和48引腳TSOP（I型）中。
 
512Kx16低壓超低功耗sram主要特征
•高速訪問時間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運行
–36mW（典型值）運行
•TTL兼容接口級別
•單電源
–1.65V–2.2VVDD（62/65WV51216EALL）
–2.2V--3.6VVDD（62/65WV51216EBLL）
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
•汽車溫度（-40oC至+125oC）
 
異步SRAM廣泛的解決方案
-提供x8，x16和x32配置
-5V/3.3V/1.8VVDD電源
-商業(yè)，工業(yè)和汽車溫度（-40°C至125°C）支持
-BGA，SOJ，SOP，sTSOP，提供TSOP軟件包
•ECC功能可用于高速異步SRAM
•長期支持
 

關(guān)于ISSI
ISSI是為汽車、通信，數(shù)字消費和工業(yè)及和醫(yī)療主要市場設(shè)計開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。近年來對復(fù)雜半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI代理支持提供產(chǎn)品產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)方案。
 
 
關(guān)鍵詞：SRAM    異步SRAM