NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)樾⌒秃偷凸那覉?jiān)固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲(chǔ)，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時(shí)，需要考慮許多重要特性。這些特性適用于所有類型的存儲(chǔ)，包括耐用性，密度和性能，每千兆字節(jié)價(jià)格，錯(cuò)誤概率和數(shù)據(jù)保留。
 
在設(shè)計(jì)使用NAND FLASH的系統(tǒng)時(shí)，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾ｉW存控制器還必須足夠靈活，以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。
 
閃存概述
閃存單元由修改的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。這會(huì)改變打開晶體管所需的柵極電壓，該電壓代表存儲(chǔ)在單元中的值。這些單元的陣列構(gòu)成一個(gè)塊，整個(gè)存儲(chǔ)器由多個(gè)塊組成。
 
權(quán)衡利弊
以下特性在SLC，MLC，TLC和QLCNAND FLASH之間有所不同。
耐力：?jiǎn)蝹€(gè)單元在變得不可靠之前可以寫入的P/E周期數(shù)。由于存儲(chǔ)多個(gè)位的單元使用與存儲(chǔ)單個(gè)位的單元相同的生產(chǎn)過程來制造，因此讀取余量較小。這使得讀取真實(shí)電壓電平更加困難，從而導(dǎo)致較高的讀取錯(cuò)誤率。
 
密度：隨著每個(gè)單元中存儲(chǔ)更多位，總體位密度相應(yīng)增加。由于MLC，TLC和QLC存儲(chǔ)器通常是在功能更小，功能更現(xiàn)代的工藝上制造的，因此可以進(jìn)一步提高這一點(diǎn)。
 
性能：隨著單元中存儲(chǔ)的級(jí)別越來越多，編程復(fù)雜性也隨之增加。同樣在讀取時(shí)，可能需要對(duì)輸出進(jìn)行多次采樣才能獲得正確的數(shù)據(jù)。SLC存儲(chǔ)器具有最簡(jiǎn)單的編程過程，電壓水平相距較遠(yuǎn)，因此更容易區(qū)分它們。因此SLC通常比MLC具有更快的讀寫性能。
 
每GB的價(jià)格：由于QLC閃存的密度最高，因此每GB的價(jià)格最低。增加密度所帶來的收益可能會(huì)因?yàn)樾枰呒?jí)別的超額配置來彌補(bǔ)耐久力降低而略有抵消。
 
錯(cuò)誤概率：如果將多個(gè)位存儲(chǔ)在一個(gè)單元中，則讀取存儲(chǔ)值時(shí)出錯(cuò)的可能性更大。這增加了存儲(chǔ)器的原始錯(cuò)誤率。這可以通過更復(fù)雜的糾錯(cuò)方法來補(bǔ)償，因此不必直接轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)看到的錯(cuò)誤。
 
數(shù)據(jù)保留：閃存在不通電時(shí)能夠隨著時(shí)間的推移保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)完整性的能力。每次寫入閃存單元時(shí)（一個(gè)P/E周期），該單元的氧化層都會(huì)稍微退化，并且該單元保留數(shù)據(jù)的能力會(huì)降低。
 
下表總結(jié)這些大概要意。

 
NAND FLASH被用來作為包括SSD，USB驅(qū)動(dòng)器和SD卡等許多類型的存儲(chǔ)產(chǎn)品的主要部分。為了滿足客戶在價(jià)格，性能和可靠性方面的期望，上述每個(gè)特性之間都要進(jìn)行權(quán)衡。
 
該選擇還可以取決于存儲(chǔ)單元正在與之通信的應(yīng)用程序或主機(jī)。例如應(yīng)用程序的存取模式各不相同：有些可能會(huì)進(jìn)行大量隨機(jī)讀寫，有些可能會(huì)更多地依賴大型順序?qū)懭耄缫曨l錄制。還有諸如溫度之類的外部因素，它們可以改變存儲(chǔ)單元的行為。閃存控制器在管理內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時(shí)需要能夠考慮這些所有因素。Hyperstone閃存控制器中的固件可以針對(duì)特定用例進(jìn)行微調(diào)。
 
 
關(guān)鍵詞：NAND FLASH