隨著SOC 技術的迅猛發展，由電池供電的便攜式電子產品得到了廣泛應用，如智能手機、運動手環、ipad、部分汽車電子等。近年來半導體工藝已進入深亞微米甚至納米階段，工藝尺寸不斷縮小，但是由于電池技術的緩慢發展以及芯片散熱技術的不完善等導致功耗成為SOC 急需要解決的重要問題。而靜態隨機存儲器SRAM 是SOC 的重要組成部分，且其占芯片總面積的比例越來越大。而芯片功耗大小直接影響到電池的使用壽命。
 
低功耗SRAM的功耗來源主要包括三部分：動態功耗、靜態功耗、短路功耗，功耗與電源電壓有著直接的關系，動態功耗與電源電壓成二次方關系，靜態功耗和短路功耗與電源電壓成一次方關系，因此降低電源電壓能夠給SRAM 帶來大幅度的功耗降低。由于傳統的6管存儲單元在電源電壓降低時會出現可靠性變差、寫能力不足、甚至讀寫錯誤的缺陷，新型10 管存儲單元，獨特的電路結構決定了它可以工作在低電源電壓下。為了說明存儲單元的性能優越。
 

代理商VTI SRAM低功耗

型號	位寬	容量	溫度	電壓(V)	速度(ns)	C/S Option	封裝
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508HB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2

關鍵詞：SRAM  低功耗SRAM