ISSI  IS61/64WV5128EDBLL描述

ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技術制造，這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，可提供高性能和高性能低功耗設備。
 
當CE為高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。
 
通過使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE，可以輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。
 
IS61/ 64WV5128EDBLL封裝在JEDEC標準的44引腳TSOP-II，36引腳SOJ和36引腳Mini BGA（6mm x 8mm）中。
 
產品特征
•高速訪問時間：8、10 ns
•低有功功率：85 mW（典型值）
•低待機功率：7 mW（典型值）
CMOS待機
•單電源
-Vdd 2.4V至3.6V（10 ns）
-Vdd 3.3V±10％（8 ns）
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•三態輸出
•工業和汽車溫度支持
•無鉛
•錯誤檢測和錯誤糾正

ISSI 同系列主要產品

型號	容量	位寬	電壓(V)	速度(ns)	封裝(Pins)
IS61WV5128EDBLL	4Mb	512Kx8	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),BGA(36)
IS61WV5128ALL/BLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	8,10,20	SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36)
IS64WV5128EDBLL	4Mb	512Kx8	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(36)