近幾十年來，集成電路技術發展迅速，信息產業發展迅速。DRAM.SRAM和Flash存儲器是信息產業的核心產品。
 
可是DRAM.SRAM和Flash存儲器有其不可改變的缺陷。目前，世界上大多數半導體制造商一方面致力于改進存儲器的大容量化.高速化.另一方面，必須在原有完善存儲器的基礎上開發各種獨特的存儲器。
 
1.高速存儲器的發展
隨著微控制器速度的快速發展，存儲器的發展遠不能跟上微控制器速度的提高。以適應高速CPU形成高性能系統的需要，高速DRAM技術不斷發展。高速發展DRAM目前方法一般集中在存儲芯片的片外附加邏輯電路上，嘗試在片外組織連續的數據流提高單付時間內的數據流量，即提高存儲器的帶寬。
 
2.新型動態存儲器.
根據一些特定的必要性，一些公司開發了一些新的動態存儲器：例如，為了提高掃描顯示和多處理機系統的雙端口通信速度SRAM，為了解決圖形顯示帶寬瓶頸而設計的圖形卡視頻讀寫存儲器VRAM,為了改進Windows圖形用戶界面中的圖形特性WRAM,適用于多處理器系統的高速通信FIF0存儲器等。
 
3.不斷提高存儲集成度
因為新一代操作系統和許多與圖像處理相關的程序包對存儲容量有更多的要求，促進大半導體制造商繼續投資數億元開發亞微米集成電路技術，提高存儲器集成度，推出大空間存儲芯片。
 
4.低工作電壓低功耗化存儲器
選擇低壓集成電路技術后，芯片功耗大大降低，工作速度沒有明顯降低。此時電池重量可降低40%。同時電池壽命增加，系統熱值降低，整個系統體積不斷減小。
 
 
本文關鍵詞：SRAM,存儲器,DRAM

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